近年來中國、美國、歐盟等全球多個(gè)國家及地區(qū)陸續(xù)實(shí)行“禁白”政策，LED節(jié)能燈泡的市場得到進(jìn)一步推廣，且LED照明產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下降，這些均直接帶動LED照明滲透率的快速提升。從2014年開始的3到5年內(nèi)，LED照明產(chǎn)業(yè)將會迎來爆發(fā)性增長，進(jìn)入“黃金三年”。 而作為領(lǐng)頭環(huán)節(jié)的上游LED芯片的制造技術(shù)和對應(yīng)的封裝技術(shù)共同決定了LED未來在照明領(lǐng)域的發(fā)展速度。

　　倒裝LED芯片應(yīng)勢而出

　　隨著上游芯片產(chǎn)能不斷擴(kuò)產(chǎn)，封裝行業(yè)已經(jīng)步入微利時(shí)代，許多企業(yè)為了搶奪客戶大打價(jià)格牌，激烈的價(jià)格競爭和無序的業(yè)內(nèi)生態(tài)鏈促使行業(yè)開始需求新的封裝工藝。

　　而具有提升發(fā)光效率以及提高散熱能力等優(yōu)勢的倒裝LED芯片技術(shù)的革新與應(yīng)用正是當(dāng)今封裝企業(yè)專注研發(fā)的重點(diǎn)。

　　與正裝芯片相比，倒裝焊芯片(Flip-chip)具有較好的散熱功能；同時(shí)，我們有與倒裝焊適應(yīng)的外延設(shè)計(jì)、芯片工藝、芯片圖形設(shè)計(jì)。芯片產(chǎn)品具有低電壓、高亮度、高可靠性、高飽和電流密度等優(yōu)點(diǎn)；加上能在倒裝焊的襯底上集成保護(hù)電路，對芯片可靠性及性能有明顯幫助；此外，與正裝和垂直結(jié)構(gòu)相比，使用倒裝焊方式，更易于實(shí)現(xiàn)超大功率芯片級模組、多種功能集成的芯片光源技術(shù)，在LED芯片模組良率及性能方面有較大的優(yōu)勢。光效方面，倒裝結(jié)構(gòu)避開P電極上導(dǎo)電層光吸收和電極遮光，還可以通過在p-GaN設(shè)反光層，而提高光效。